全球内存解决方案领导者KIOXIA公司今日宣布，已开始发运1TB（太比特）三级单元（TLC）存储器样品，采用其第10代BiCS FLASH 3D闪存技术。这些SSD将主要集成到公司的企业级和数据中心SSD中，强化了科克亚的产品线，以满足AI存储日益增长的需求，这些需求需要更高性能、更高容量和更低功耗。这些新产品将在日本岩手县Kioxia北上工厂的Fab2工厂使用最先进的设备制造。

通过利用自第八代BiCS闪存以来采用的创新CMOS直接绑定阵列（CBA）技术和俯距选择栅漏（OPS）技术，第十代技术实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，比第八代提升了33%。通过叠加332层并提升横向密度，比特密度提升了59%。此外，写入和读能效率分别提升了18%和30%，有助于降低数据中心和企业基础设施的功耗。在独特的双轴战略下，科克亚同时推进两条截然不同的产品线：第九代解决方案，以相对低的投资成本实现高性能;以及第十代技术，利用先进的层叠实现大规模产能和卓越性能。

秉持“用’记忆’提升世界”的使命，KIOXIA始终致力于推动技术创新，加强全球合作伙伴关系，并提供驱动现代人工智能基础设施的先进存储解决方案。