美光科技公司（纳斯达克代码：MU）今日宣布了内存创新领域的一项重大里程碑，成功展示了全球首个512 GB DDR5模块，适用于多服务器平台。这一成就巩固了美光在高性能、高容量服务器内存领域的领导地位，并为企业数据中心和云客户提供了支持大型且要求高的人工智能、分析、内存数据库及模拟重工作负载的高效途径。领先的半导体推动者AMD和英特尔都在积极验证该模块，预计其速度将达到9200 MT/s。

该模块的高容量得益于美光先进的垂直互连封装创新。该产品通过透硅孔（TSV）垂直堆叠DRAM芯片，最大化单个DRAM封装内的密度，同时保持现代数据中心架构的性能需求。该模块支持单一 24 槽双插槽服务器最多支持 12 TB DDR5 DRAM 运行。