Sandisk公司（纳斯达克代码：SNDK）今日宣布正在试用其第十代3D NAND闪存技术BiCS10 1 Tb TLC。BiCS10采用先进的横向扩展技术，实现业界领先的1 Tb TLC内存密度，超过29 Gb/mm²，位密度提升59%，同时实现最高4.8 Gb/s接口速度，较当前量产的第八代3D闪存提升33%。

基于Sandisk经过验证的比特成本可扩展（BiCS）3D NAND架构和CMOS直接绑定阵列（CBA）技术，BiCS10 TLC还提升了数据输入/输出功耗，较上一代BiCS8降低了10%的输入功耗和34%的输出功耗。